Spoločnosť IBM oznámila, že našla spôsob, ako do jednej bunky pamäti PCM (Phase-Change Memory) uložiť tri bity, čím z týchto pamätí vytvorí typ TLC (Three-Level Cell). Cieľom je vytvoriť konkurenciu predovšetkým pre nádejné 3D XPoint od Intelu a Micron.
Intel a Micron sú bezpochyby vo vývoji svojich pamätí 3D XPoint napred, lebo už tento rok na jeseň sa majú objaviť prvé dostupné produkty, ktoré prídu najskôr pod značkou opýtanie. Stále sa ale nevie nič o tom, akú technológiu 3D XPoint naozaj využívajú, pričom podľa niektorých ide buď o ReRAM alebo práve PCM. Každopádne IBM chce pripraviť pre 3D XPoint vlastnú konkurenciu práve s využitím pamäťou PCM, ktoré môžu uložiť tri bity do jednej bunky, čo by im poskytlo nezanedbateľnú výhodu. Nikto ale nehovorí, že Intel s Micron niečo podobné nemajú tiež, alebo na tom nepracujú.
| Memristor | PCM | STT-RAM | ReRAM | DRAM | Flash | HDD | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Read Time (ns) | <10 | 20-70 | 10-30 | 10 | 10-50 | 25,000 | 5-8×106 |
| Write Time (ns) | 20-30 | 50-500 | 13-95 | 1-100 | 10-50 | 200,000 | 5-8×106 |
| Endurance (cycles) | 1 Trillion | 10 – 100 million | 1015 | 1010-1012 | >1017 | 500-106 | 1015 |
| Retention (without power) | >10 Years | <10 Years | Weeks | Months | <Second | ~10 Years | ~10 Years |
| Energy Per Bit (pj)2 | 0.1-3 | 2-100 | 0.1-1 | ? | 2-4 | 101-1014 | 106-107 |
| Chip Area Per Bit (F2) | 4 | 8-16 | 14-64 | ? | 6-8 | 4-8 | n/a |
Budúcnosť zariadenie pre ukladanie dát má ponúknuť také produkty, ktoré skombinujú priepustnosť pamätí blízku k DRAM s výdržou oveľa lepšie, než majú dnešné NAND Flash a pôjde samozrejme o stálej pamäti, ktoré nepotrebujú k udržaniu informácie napájania. Takéto pamäte by mali aspoň pre začiatok vytvoriť novú vrstvu, ktorá sa usídli medzi hlavnou pamäťou počítača (RAM) a úložnými zariadeniami (HDD / SSD). Pôjde o novú triedu označovanú ako Universal Memory alebo Storage-Class Memory.
Pamäte PCM nie sú samy o sebe nič nové. Ich vývoj sa začal už v 60. rokoch, keď sa zistilo, že by sa dala využiť možnosť meniť štruktúru vo sklených chalkogenidech z kryštalickej na amorfné (a späť). V prvom prípade sa materiál potom vyznačuje nízkym odporom a v druhom vysokým, čo potom vo výsledku určí, či je uložený bit 0 alebo 1. IBM sa evidentne podarilo docieliť mnohých stavov štruktúry, ktoré umožnia rozlíšiť medzi aspoň ôsmimi úrovňami odporu. Práve toľko je potreba na uloženie troch bitov v jednej bunke. Navyše je tu v podstate neobmedzená možnosť opakovaného zápisu, aspoň v prototypoch, ktoré majú zvládnuť milión zapisovacích cyklov. Ide ale zatiaľ o 64kB pamäti, aj keď nakoniec sa môže výdrž týchto pamätí ešte zlepšiť, ako sa bude zlepšovať aj výrobné technológie. Štandardné SLC pamäti PCM majú pritom rating až 10 miliónov zapisovacích cyklov.
V IBM tiež už testovali nové pamäte s ohľadom na okolité teplotné podmienky a zistili, že je možné ich nasadiť pri teplotách medzi 25 a 75 ° C. Úroveň chybovosti bola dostatočne nízka a s využitím ECC by už nebola žiadny problém ani pri nasadení v serveroch. Avšak stále je čaká ešte dlhý vývoj a pre IBM je tiež problém, že nemá na výrobu pamäťových zariadení vhodného priemyselného partnera. IBM samotné nič také nevyrába, a tak je pravdepodobné, že svoju technológiu skúsi predať či licencovať iným firmám. Tie by potom vraj mohli do dvoch rokov dostať na trh výsledný produkt s TLC PCM.
Zdroj:
http://www.svethardware.cz/ibm-utoci-na-intel-3d-xpoint-se-svymi-tlc-pcm/42363
Obnova dát z SSD v MACROFER:
Firma MACROFER sa zaoberá záchranou dát z SSD už viac ako 20 rokov. Za ten čas nám prešlo cez ruky viac ako 10 000 poškodených harddiskov. Prečítajte si viac o obnove dát na disku.
Cena obnovy dát z SSD
| Záchrana dát z SSD (logické/hardvérové poškodenie) | po konzultácii |
|---|